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    朱興華教授在《Journal of Materials Science Materials in Electronics》發表學術論文


    2015年10月13日 15:22  點擊:[]

    光電信息材料與器件團隊朱興華教授于20145月在材料類國際知名期刊《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》(IF=1.569)雜志上發表了題為《Fabrication and characterization of X-ray array detectors based on polycrystalline PbI2 thick films》的學術論文。(J Mater Sci: Mater Electron (2014) 25:3337–3343)

    該論文主要研究了氣相法制備PbI2多晶膜材料,研制了3×4陣列X射線探測器原型。研究結果表明:12像元的暗電流均低于3nA500V),本征電阻率高達1011ohm?cm;X射線光電流響應上升時間250μs,且平均X光電流強度比暗電流高2個數量級,說明所研制的陣列探測器對X射線快速、靈敏響應,為研制數字平板探測與成像器件奠定了堅實的材料和器件基礎。

     

    Figure1. Structure diagram of the array detector based on polycrystalline PbI2 thick film

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